DRAM三季度营收暴增369％ 创新高

存储芯片正在经历一场罕见的“超级周期”。市场研究机构 Counterpoint Research 最新发布的全球内存市场追踪报告显示，2026 年第三季度全球 DRAM 市场营收接近 2000 亿美元，同比增长 369％，约为去年同期的 5 倍，创下历史新高。

值得注意的是，这轮爆发几乎完全由价格上涨驱动：当季 DRAM 位元出货量仅环比增长约 4％，平均售价则升至每 Gb 1.9 美元。该机构高级分析师崔正国直言，这是“价格驱动的超级周期，而非出货量周期”，“AI 已经把内存从普通大宗商品变成了稀缺的高价值资源，买家现在争抢的是供应保障，而不是价格。”

厂商格局随之洗牌。三星电子以 38％ 的营收份额稳居第一；SK 海力士环比营收大增超过 40％，份额从二季度的 25％ 回升至 29％，大幅缩小差距；美光以 21％ 位居第三，同样受益于 AI 数据中心需求但增速偏慢。中国厂商长鑫存储的份额则从 10％ 滑落至 9％，随着对手从四季度起出货溢价更高的 HBM4 产品，其份额预计还将承压。

产品结构的变化同样说明问题：HBM 营收几乎翻倍，但在总营收中的占比反而下降，因为传统 DRAM 增长更快——DDR 与 LPDDR 营收分别同比暴涨 500％ 和约 400％。Counterpoint 的云端 AI 算力追踪数据显示，AI 智能体的普及正在推高服务器 CPU 及其内存消耗：数据中心里 GPU 与 CPU 的配比已从 4:1 收窄至 2:1，并朝 1:1 演进；以英伟达 Vera Rubin 机架为例，每个 CPU 插槽搭载的 DRAM 容量达 1.5TB，接近上一代的 3 倍。

展望后市，该机构认为涨势还远未结束：HBM 价格正在补涨，长期供货协议对价格形成支撑，而主要新建晶圆厂要到 2028 年才会投产，供应持续偏紧。在价格维持强势的背景下，存储厂商预计将在下一季度再度刷新盈利纪录。

编译自 Counterpoint Research，原标题："Q3 2026 DRAM Super-Cycle Nears 200 Billion Dollar: Samsung Holds No. 1 with 38 Percent, SK hynix Gains"