台积电拟进军3D DRAM 应英伟达要求布局
报价宝综合消息台积电拟进军3D DRAM 应英伟达要求布局
据The Information 11月6日报道，两位知情人士透露，全球最大芯片代工厂台积电正在考虑进军先进内存芯片制造领域，这一举措将让其在AI硬件供应链中占据更大的份额。
报道称，台积电最近已开始制定生产3D DRAM的计划，以响应其最大客户英伟达的请求。与传统DRAM把内存单元平铺在单一层面不同，3D DRAM将单元垂直堆叠，能在同样的 footprint 下容纳更多内存容量，被视为下一代内存的重要方向。
目前，内存芯片制造长期由三星电子、SK海力士和美光三家公司主导，这三家同样在开发3D DRAM技术，围绕下一代内存制造展开竞争。若台积电正式入局，内存行业将迎来一个重量级新玩家。
推动这一动作的背景是AI硬件热潮引发的内存严重短缺：DRAM与HBM价格持续飙升，促使英伟达、苹果等芯片设计公司四处寻找额外的供应来源。今年早些时候，苹果就曾因内存成本上升而提高了设备售价。
需要指出的是，台积电方面尚未公布任何时间表、投资金额或产能目标，报道中的关键词始终是「考虑」。消息传出后，美光与SK海力士股价应声下跌，市场已开始提前消化「供应增加、价格承压」的可能性。分析认为，台积电除了自建内存产能，也存在与现有内存大厂合作的可能性，后续进展值得持续关注。
编译自 The Information，原标题："TSMC weighs a move into advanced memory chips"
