新型无电容内存 SRAM速度DRAM密度
由前英特尔CEO帕特·格辛格支持的芯片内存初创公司Nagare Labs正在推广一种名为Z2RAM的新型存储器，目标是把SRAM级别的速度与DRAM级别的密度同时装进AI芯片，缓解AI算力的内存瓶颈。
Nagare Labs是佐治亚理工学院的衍生公司，公司把Z2RAM的结构概括为「两个晶体管加一层屏蔽，没有电容」。这是一种无电容增益单元存储器：写入晶体管向存储节点注入电荷，屏蔽层隔离相邻单元的干扰，读取晶体管在不耗尽电荷的情况下完成读出。传统DRAM依赖电容储存电荷，需要定期刷新，而增益单元的思路是利用晶体管栅电容保住数据。
这家公司已发表论文显示，其最新测试单元在85摄氏度下数据保持时间超过300秒。按其规划，第一代产品堆叠六层后密度可达SRAM的5倍，速度为DRAM的14倍，读取能耗比SRAM低3倍。需要强调的是，这些指标目前仍是基于论文的推算，尚未有量产验证。
这项技术瞄准的是AI芯片最头疼的问题之一：HBM高带宽内存良率不足、且堆叠层数受热量制约。当DRAM堆叠在逻辑芯片上方时，DRAM必须保持在95摄氏度以下，反过来把逻辑芯片的发热限制在每平方厘米220瓦左右。三星直接在处理器上堆DRAM的zHBM也只规划了约四层。能在芯片上方直接堆叠、且无需电容的内存，有望绕开部分热与密度矛盾。
Nagare Labs于10月底走出隐身模式，格辛格以投资人身份参与其中。不过从实验室单元到嵌入量产芯片，中间还有良率、成本和生态支持等多道坎，AI内存架构的最终走向仍取决于巨头们的路线图选择。
编译自 Tom's Hardware，原标题："Gelsinger-backed Nagare Labs' capacitorless Z2RAM promises SRAM speed with DRAM density"
