格芯新工艺不用EUV 直逼7nm级性能

在先进制程竞赛几乎被 EUV 光刻机“绑架”的今天，GlobalFoundries（格芯）选择反其道而行。公司 FD-SOI 业务线副总裁 Sudipto Bose 日前接受 Tom's Hardware 专访，详细披露了全新 FDX Fusion 工艺：8nm 级栅极密度（每平方毫米 1400 万个栅极）、7nm 级性能与功耗，全程不使用 EUV 光刻，也不依赖 FinFET 晶体管。

FDX Fusion 的底子是平面全耗尽绝缘硅（FD-SOI）晶体管，配合 Soitec 与 CEA-Leti 合作开发的应变硅衬底，再加上激进的光学图形化技术。相比现役 FDX 工艺，新平台目标是性能提升 30％、功耗降低 40％；射频性能尤为突出，fT/fmax 达到 0.5THz，可直接用于 81GHz 车载雷达和数据中心光通信电路。

省掉 EUV 的代价是晶体管密度——每平方毫米 14 兆栅只相当于行业 8nm 节点，明显低于 7nm FinFET。但 Bose 强调，格芯卖的是系统级性价比：光罩成本远低于 6nm 工艺，交期更灵活，且在每瓦性能（TOPS/W）上能对标 16nm 甚至 12nm 级方案，对边缘 AI、连接芯片和射频混合信号产品已经够用。

客户基础是格芯的底气：现役 FDX 工艺已有 90 多家客户处于量产爬坡阶段，覆盖 Wi-Fi、蓝牙、蜂窝连接、车载雷达和边缘 AI 微控制器。FDX Fusion 将全部在德累斯顿工厂制造，计划 2028 年前后实现商业投产，2030 年冲刺大规模制造。

在 EUV 设备一台难求、先进产能集中于少数厂商的背景下，DUV 多重曝光加平面器件的这条老路能否换来新市场，2028 年的第一批硅片会给出答案。

编译自 Tom's Hardware，原标题：“GlobalFoundries VP details FDX Fusion technology, sporting 7nm-class performance without the need for EUV tools”