台积电否认进军3D DRAM 代工定位不变

台积电罕见地公开否认了一项备受关注的业务传闻。此前美国媒体The Information报道称，在全球内存供应紧张、价格持续上涨的背景下，英伟达已要求其最大代工伙伴台积电探索3D DRAM（三维堆叠内存）的制造，台积电甚至已开始筹备相关计划。

但台积电发言人对媒体明确表态：「请注意，台积电始终专注于我们的核心业务，即专业集成电路代工。我们的使命是未来多年继续成为全球逻辑芯片产业值得信赖的技术与产能提供者。」这一表态几乎等同于对传闻的直接否认。

据The Information援引两名知情人士的说法，该计划由台积电负责先进封装的副总裁徐国晋（Hsu Kuo-chin）主导，他此前曾担任美光台湾业务负责人。报道还称，若计划成真，台积电将在AI供应链中扮演远比现在更重要的角色。

不过业界普遍认为，台积电进军DRAM面临极高的门槛。尽管台积电拥有业内最强的逻辑制程技术，但DRAM制造需要完全不同的工艺体系。目前美光、三星和SK海力士三大内存厂都在推进3D DRAM研发，但距离量产仍有数年之遥——美光的路线图显示，在3D DRAM成为现实之前，至少还要经历四代平面DRAM工艺。

分析指出，即便台积电现在启动，3D DRAM至少五年内都无法缓解内存短缺。一种替代路径是收购一家拥有自有晶圆厂的小型利基型存储厂，但小型厂商并不具备先进制程，台积电仍需投入数十亿美元和数年研发才能建立有竞争力的DRAM工艺。

在AI数据中心疯狂吞噬内存供应、内存从大宗商品变成战略资源的当下，这场传闻与否认背后，折射出的是芯片业对内存产能的普遍焦虑。

编译自 Tom's Hardware，原标题："TSMC denies exploring 3D DRAM at Nvidia's request — advanced memory tech is still years from market viability"