兆易创新与Rambus成立合资公司要做什么事？

近日，Rambus宣布与兆易创新（GigaDevice）合作在中国建立一家名为“Reliance Memory”的合资企业，以实现电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的商业化。

据了解，RRAM是一种非易失性存储器，基于一种新的半导体材料，依赖于温度和电压来存储数据，通过改变独特的固体介质材料的电阻来工作。

RRAM及其制造的半导体允许芯片堆叠在彼此之上，使得存储器和逻辑组件以不能复制的方式靠近在一起。这些3D“高层”芯片可以解决大数据处理延迟，同时延长未来移动设备的电池寿命，提供更快，更高能效的解决方案。

与传统的嵌入式非易失性存储相比，RRAM的能耗更低，而且读写速度更是NAND存储器的1万倍，这使得它成为物联网 (IoT) 应用的理想选择，因为物联网产品的应用对低功耗效能要求非常之高。

资料显示，Rambus是一家美国芯片设计公司，成立于1990年。Rambus创建之初便致力于高端存储产品的研究与开发，拥有2500项专利。由于其在内存技术上的先进性，Rambus还与三星、美光、东芝、NVIDIA、AMD、Intel、西数等多家半导体巨头成为了合作伙伴。不过，Rambus也曾与许多电脑内存芯片制造商对簿公堂。

2015年，Rambus开始重组，并将业务扩展至芯片设计以外的领域，授权公司出售自己品牌及由供应商生产的授权芯片，包括美光、AMD等。

而兆易创新作为国内NOR Flash存储器芯片龙头企业，主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品的研发、技术支持和销售。

其产品广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端、个人电脑及周边，以及通信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。

近年来，兆易创新正在积极布局DRAM领域，目前与合肥产投合作的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目，正在加快建设中。该项目的工艺制程为19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含 DRAM 等）研发项目，目标是在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%。

长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国此前表示，第一颗“合肥造”19纳米级12英寸DRAM工艺存储器有望年内下线，明年底产能达到每月2万片。

对于此次与Rambus成立合资公司， 兆易创新的CEO朱一鸣表示，“此次战略投资的目的是为我们GD32微控制器系列及其他未来的嵌入式产品的应用（如物联网）提供新的存储器解决方案。”

Rambus的CEO Ron Black博士指出，通过合作，Rambus和兆易创新将会使这家合资企业能够为下一波最先进的移动设备提供创新的存储器解决方案。