高通正研发骁龙845：明年用于SamsungS9，制程更激进
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-05-18
骁龙835首次将移动平台带入10纳米新世代，让移动平台兼有低功耗与高性能计算的特性，而高通、Samsung并未放缓IC设计和制程迭代的速度。
据韩媒Aju Business Daily报导，高通正和Samsung半导体S.LSI部门开发新一代移动芯片，将用于明年旗舰机Galaxy S9之上，该处理器平台很有可能被命名为骁龙845。
4月19日，Samsung半导体宣布其第二代10nm FinFET工艺――10LPP（Low Power Plus）即将投产。随着3D FinFET结构的进一步增强，与相同面积的第一代10LPE（Low Power Early）相比，10LPP工艺最高可以提升10%的性能或降低15%的功耗。
有分析认为，骁龙845很可能使用比10nm更激进的工艺制造，理由是Samsung半导体在3月15日宣布将8nm和6nm制程添加到产品路线规划中（roadmap）。预计新制程将在2018年初量产，符合骁龙845的上市节点。
高通和Samsung半导体已有长达十年的战略代工合作，不过双方未来的合作关系并不如想像中那般明朗。据知名爆料人士@i冰宇宙消息，高通和Samsung代工合作骁龙845为止就告一段落了。
移动平台的未来将何去何从呢？对于消费者而言一切都是未知数，惊喜背后源自于核心硬件的突破，始终让人葆有期待。
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