新华社北京6月24日电 英国兰开斯特大学研究人员最近宣布，他们和西班牙同行合作开发出一种新型资料储存装置，兼具当前内存和闪存两类装置的优点，并且能耗超低。
这所大学释出新闻公报说，新装置属于通用型储存器，既可充当供随时读写的活动内存，也能稳定长期储存资料。它有助节约能源，缓解“数字技术能源危机”，还可改善电子装置使用体验，比如电脑可以几秒钟内完成启动。
当前用作内存的动态随机存取储存器（DRAM）读写速度快，但有易失性，即突然断电后内容就会消失，即使不断电也必须每隔几十毫秒就重新整理一次，总能耗非常高。闪存里的资料可以长期储存，代价是写入和擦除需要较高电压，能耗高、速度慢，且容易损坏。兼具非易失性、低能耗和高速度的新型储存器，是当前的研究热点。
研究人员在新一期英国《科学报告》杂志上发表论文说，新装置采用与闪存类似的浮栅构造，但不像闪存那样使用金氧半导体，而是由砷化铟、锑化铝和锑化镓三种材料组成。其底部是630奈米厚的锑化镓，上面是多个交错的锑化铝和砷化铟薄层，厚度从几奈米到几十奈米不等，呈现“千层饼”一样的异质结构。
实验发现，由于这三种半导体材料的量子力学特性，新装置能在低电压下运作，同时实现非易失性储存。由于电压和电容需求都很低，该装置的单位面积能耗分别是DRAM和闪存的百分之一和千分之一。此外，它需要进行重新整理的时间间隔至少比DRAM长100万倍，资料储存期限理论上比宇宙的年龄还长。
随着资讯科技发展，电脑和其他电子装置需要处理的资料越来越多，储存容量飞速增长，储存器能耗问题却对执行效率和使用体验构成严重制约。研究人员说，作为一种新型储存装置，该技术有很大潜力。
