针对 Micro LED 关键技术难题 利亚德探索出属于自己的技术路径

Micro LED 是近年来备受关注的技术热点。如今，各大企业都在加紧布局 Micro LED 领域，以求抢占 Micro LED 技术高地。一直以来，利亚德不断突破 Micro LED 核心技术，提升自身核心竞争力，持续引领显示行业创新发展。近期，利亚德集团副总裁、智能显示研究院院长卢长军在 2022 集邦咨询新型显示产业研讨会上分析了 Micro LED 未来发展趋势，还讲述利亚德在 Micro LED 前沿技术领域的诸多成就，为行业探索 Micro LED 领域提供有利的借鉴。

利亚德关注 Micro LED 发展，加强创新技术研究

Micro LED 应用前景广阔，从商业应用到消费电子，都是 Micro LED 可大展身手的领域。但目前 Micro LED 处于发展初期，在巨量转移、芯片效率、全彩技术等一系列问题上，业界尚未有成熟的解决方案，规模化量产与应用仍需时间。因此，当务之急是进一步突破 Micro LED 核心技术问题。

Micro LED 包含了 4 大核心技术，分别是 Micro LED 芯片技术、巨量转移技术、检测及返修、光学和表面处理。利亚德认为，激光巨量转移是现阶段最优解方案，其具有较好的兼容性，可同时应用于转移带与不带衬底的 LED，且在带衬底 LED 芯片的转移中能够避免 LED 的偏移和侧翻问题。

检测及返修：检测技术上，由于 Micro LED 芯片和电极过于微小，业界研发了非接触式检测技术，可通过 PL 检测测试 LED 光学性能，但电学性能暂时无法测试，因此业界也有观点认为，若能保证 LED 外延的均匀性和波长的一致性且无颗粒，则无需点测及分 bin。

光学和表面处理：针对提高对比度 / 黑度，降低反射率，目前解决方案有：缩小 LED 芯片尺寸、底部填充基板线路进行遮蔽、增加基板墨色、表面覆盖抗反射膜等。针对墨色一致性问题，也可启用墨色筛选，虽可一定程度上解决问题，但却会对终端产品售价造成负面影响，而针对亮屏颜色的一致性问题，主要通过 LED 分 bin 和混 bin 管理进行控制，并通过后端校正来解决；针对像素尺寸与像素间距的适配问题，则是通过增加像素填充率来解决。

不断突破 Micro LED 核心技术，利亚德找到属于自己的发展之道

面对 Micro LED 关键技术难题，LED 业界给出了多种技术路径，尝试从中找到最佳的解决方案。利亚德凭借自身在 LED 显示行业的丰富经验，也探索出属于自己的 Micro LED 发展之道。

在巨量转移技术上，利亚德基于对大尺寸的 Micro LED 显示技术的理解，发展了两种巨量转移技术，分别是 mass transfer1 和 mass transfer2，mass transfer1 主要应对带衬底 LED 和 PCB 基板的巨量转移，mass trasnfer2 则是针对无衬底、玻璃基板或其他高精度基板的巨量转移应用。

在表面处理和光学方面，利亚德发展了 A、B、C MODE 三种表面处理技术，A MODE 属于高性价比方案；B MODE 是双层封装结构，墨色一致性、均匀度、对比度具有较好的表现；C MODE 均匀度表现最佳，适合 COB 和 COG 封装产品的应用。

未来，利亚德将继续攻克 Micro LED 技术难题，追求间距缩小、极致画质、高可靠性及稳定性等都将是利亚德研究的主要课题。随着 Micro LED 技术不断成熟，在利亚德等创新科技企业的助力下，Micro LED 也将在显示行业释放更多潜能，为显示行业带来新的发展机遇。