消息称英特尔 Arrow Lake-S 将采用台积电 3nm 工艺，ARL-P 采用 Intel 20A 工艺
最新 10 月 22 日消息，爆料者 @OneRaichu 声称，英特尔酷睿 Arrow Lake 系列双平台似乎将采用不同的工艺技术。
他表示，适用于桌面平台的 ARL-S 系列将采用台积电最先进的 3nm 家族工艺（结合之前情报来看大概率是 N3E），而面向移动平台的低压平台依然采用自家 Intel 20A 工艺。
Intel 20A 工艺节点可使得 CPU 每瓦性能提高 15%，并将 RibbonFET 和 PowerVia 技术引入桌面平台。
除此之外，还有其他人补充道：英特尔此前由于某些原因选择将 ARL-P 和 ARL-S 应用于台积电 N3 工艺，但随着台积电 N3 延期，再加上 P 系列相对 S 系列会晚一些时间发布，这使得 ARL-P 可以顺利转移到计划于 2024 上半年量产的 Intel 20A 平台。
现有情报表明，英特尔 Meteor Lake（2023 年）以及 Arow Lake 均会采用 Foveros（3D）封装技术，基于 36μm pitch 的封装工艺，分别基于 Intel 4（原 7nm）和埃米级的 20A 工艺，而 Intel 3 工艺的首发平台目前还不明晰。
最新了解到，英特尔 Arrow Lake 将采用与 14 代酷睿 Meteor Lake 完全相同的"小芯片"配置，P 核将从 Redwood Cove 升级到 Lion Cove，而 E 核将从 Crestmont 切换到 Skymont，核心数量可能会增加到 8+32 个。
也正得益于模块化设计，Arrow Lake 将能够保留 Meteor Lake 的准系统方案，包括 SoC 和 IO 模块，从而加快架构和流程升级进度，同时也有助于降低成本。
Arrow Lake 将采用与 Meteor Lake 相同的 LGA-1851 插槽，符合英特尔每 2 代平台采用同一套设计的原则，再往后的 Lunar Lake 确认是 18A 工艺 + Foveros、25μm pitch 封装工艺，而 Nova Lake 尚未可知，但有不可靠传闻称 CPU 性能提升幅度超 50%。
总结一下，Meteor Lake CPU 将采用全新的小芯片（Tile）平铺式架构，主要有 3 个 Tile： IO Tile、SOC Tile 和 Compute Tile。Compute Tile 包括 CPU Tile 和 GFX Tile。CPU Tile 将使用新的混合核心设计，以更低的功耗提供更高性能，GPU 也是全新架构，最多 192 EU。
此前的传闻是 Meteor Lake 系列小芯片的 Arc GPU 核心将采用台积电 N5 / N3 工艺，而这位爆料人的意思似乎是指 Arrow Lake-S 全部都将采用台积电 3nm 工艺，转而埋头研发下一代 20A 工艺节点。
