台积电3nm制程工艺下周量产 但今年产量可忽略不记
报价宝综合消息台积电3nm制程工艺下周量产 但今年产量可忽略不记
2022年原本应该是半导体工艺转变为3nm量产一年，但今年台积电低调了不少，三星在6月份宣布率先率先3年，nm工艺，抢走了名义上的3nm首发，台积电早前提到的9月份量产早已无效，官方承诺的是年底。
距离2022年还有最后几天，台积电终于履行了承诺。近日，公司发布邀请函，下周将在南科举行量产扩厂仪式，届时将正式量产3nm工艺。
2022年3，2022年3022年nm产量可以忽略不记，只是让台积电兑现今年量产3nm2023年真正有大量商品的承诺。
台积电之前至少宣布了5种3种nm工艺，现在很难确定要量产的是N3还是N3E，前者此前曾透露，苹果已被放弃。因为成本太高，苹果不需要，导致没有客户，量产毫无意义。
根据台积电的说法，对比N5工艺，N3功耗降低约25-30%，性能提高10-15%，晶体管密度提高约70%。
可是N3工艺的实际表现不一定那么好，前不久在IEDM在2022年大会上，台积电论文种公布了3篇nm下SRAM真实密度，性能令人担忧。
3工艺的SRAM单元面积0.0199平方米μm，相较于N0.021平方米5工艺μm只缩小了5%的面积！
更糟糕的是，所谓的第二代3nm工艺N3E，SRAM0.021平方模块面积为0.021平方模块面积μm，跟N5工艺没有区别。
台积电挤牙膏的改进，让台积电挤牙膏的改进Intel有机会追回来，虽然3nm的SRAM密度还是会比较的Intel的10nmESF（现在的Intel7)高很多，但跟着Intel的7nmEUV工艺(现在的Intel4)差不多。
下一代台积电2nm晶体管密度在工艺上提高较少，官方数据只有10%-20%，解释很容易被解释Intel的20A，18A技术超越了。
