给AI芯片退烧 国内首款12英寸多晶碳化硅衬底问世
报价宝综合消息给AI芯片退烧 国内首款12英寸多晶碳化硅衬底问世湖南泰坦未来科技有限公司近日发布新闻稿，宣布推出国内首款12英寸多晶碳化硅衬底，直指AI芯片与先进封装的散热瓶颈。这种直径约300毫米的黑色圆片由众多微小碳化硅晶粒构成，相当于芯片制造与封装环节的「垫板」，负责支撑、导热与散热。
随着大模型算力需求攀升，大量AI芯片功耗已超过1000瓦，热量积聚导致芯片降频甚至烧毁，散热成为卡住算力释放的关键瓶颈之一。公司介绍，多晶碳化硅热导率可达每米每开280瓦以上，是传统硅基材料的两倍多，可将芯片散热效率提升三成以上。
性能指标方面，公司称其衬底沉积速度达每小时60微米，明显高于国内外同行10至20微米的水平；最低电阻率可小于1毫欧厘米，优于国外同行约10毫欧厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，有助于提升芯片良率。
据介绍，该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间损耗了两台气相沉积炉，先后攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等难题。公司技术团队源自中南大学粉末冶金研究院，目前项目处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年后逐步规模化供货。
市场拓展方面，公司称该产品已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。在单晶碳化硅衬底扩产承压的背景下，大尺寸多晶方案被视为半导体材料自主可控的一条新路径。
编译自 IT之家、长沙晚报，原标题："给AI芯片「退烧」：国内首款12英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世，通过台积电认证测试、并给三星送样"
随着大模型算力需求攀升，大量AI芯片功耗已超过1000瓦，热量积聚导致芯片降频甚至烧毁，散热成为卡住算力释放的关键瓶颈之一。公司介绍，多晶碳化硅热导率可达每米每开280瓦以上，是传统硅基材料的两倍多，可将芯片散热效率提升三成以上。
性能指标方面，公司称其衬底沉积速度达每小时60微米，明显高于国内外同行10至20微米的水平；最低电阻率可小于1毫欧厘米，优于国外同行约10毫欧厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，有助于提升芯片良率。
据介绍，该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间损耗了两台气相沉积炉，先后攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等难题。公司技术团队源自中南大学粉末冶金研究院，目前项目处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年后逐步规模化供货。
市场拓展方面，公司称该产品已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。在单晶碳化硅衬底扩产承压的背景下，大尺寸多晶方案被视为半导体材料自主可控的一条新路径。
编译自 IT之家、长沙晚报，原标题："给AI芯片「退烧」：国内首款12英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世，通过台积电认证测试、并给三星送样"
