给AI芯片退烧 国内首款12英寸多晶碳化硅衬底问世
湖南泰坦未来科技发布国内首款12英寸多晶碳化硅衬底，主打AI芯片与先进封装散热，沉积速度与电阻率等指标优于海外同行，已通过台积电相关认证测试并向三星送样，预计2027年后逐步规模化供货。
2026-10-29 科技 我要分享
如何用物理的方法制作一个千层蛋糕
俗话说，民以食为天。不只不觉兔年的春节已经结束，想必这些日子，小伙伴们享受了各种美食吧！年夜饭对于小编来说，享受美食就是最幸福的事情！而众所周知，烹饪食物的方法千变万化：煎、炒、烹、炸、蒸；煮、炖、煲
2023-02-12 资讯 我要分享铭镓半导体实现 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
感谢最新网友鸽以咏志的线索投递！最新12月9日消息，北京铭镓半导体有限公司近期使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了
2022-12-21 资讯 我要分享意法半导体与 Soitec 合作开发碳化硅衬底制造技术：将打造 8 英寸 SiC 晶圆
最新12月22日消息，意法半导体(简称ST)和半导体材料设计制造公司Soitec宣布了下一阶段的碳化硅(SiC)衬底合作计划，由意法半导体在今后18个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试
2023-01-05 资讯 我要分享金刚石能揽芯片活吗
"培育钻石"的原材料金刚石（Diamond）的作用远不止装饰与消费，它不仅在加工石材、有色金属、复合材料等方面有着不可替代的作用，还被行业冠以终极半导体材料的称号。早在二十年前，科学界就曾掀起研究金刚
2022-12-21 资讯 我要分享国产三代半导体材料新突破，中科院成功制备 8 英寸碳化硅晶体
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，在功率半导体等领域具有巨大应用潜力，但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题，碳化硅单晶衬底在器件成本中占比也高达近50%。近期，中科院物理研究所科研人员通过优化生
新制造工艺：有望实现高速低功耗光电子芯片
导读近日，美国波士顿大学、麻省理工学院、加州大学伯克利分校、科罗拉多大学波尔得分校科研人员组成的团队开发一种新的制造方案，在块状硅衬底上，让光子器...
中国光伏领先世界：天合光能刷新 210 i-TOPCon 电池效率世界纪录，获中国计量科学院认证
感谢最新网友刺客的线索投递！最新3月11日消息，天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布，其自主研发的210mm×210mm高效i-TOPCon电池，经中国计量科学研究院第三方测试认证，最高电池效率达
CPU的制作过程详解
现在市场上产品丰富，琳琅满目，当你使用着配置了最新款CPU的电脑在互联网上纵横驰骋，在各种程序应用之间操作自如的时候，有没有兴趣去想一想这个头不大、功...
由第三代半导体电力电子技术路线图引发的思考
来源：本文由 半导体行业观察（ID：icbank）原创7月31日，国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布。该路线图是由第三代半导体产业技术创新战略...
CCD 图像传感器 —— 颠覆人类记录影像的方式
基于半导体技术的CCD图像传感器改变了人类用胶片记录影像的历史。时至今日，数字化影像不仅是科学分析的重要工具，也深入每个人的日常生活维纳德・波利（左）和乔治・史密斯（右）在1969年发明了CCD技术来
2022-12-21 资讯 我要分享天科合达发布 8 英寸碳化硅衬底新产品，明年导电型将小规模量产
感谢最新网友航空先生的线索投递！最新12月2日消息，北京天科合达半导体近期发布了"8英寸导电型碳化硅衬底"新产品。该公司介绍了"8英寸导电型碳化硅衬底"新产品各项关键技术参数指标，并宣布将于2023年
2022-12-21 资讯 我要分享丰田合成成功研制出 6 英寸氮化镓 GaN 衬底：打破尺寸纪录，可降低器件生产成本
最新3月17日消息，据businesswire报道，丰田合成ToyodaGosei与大阪大学合作，成功研制出了6英寸的氮化镓GaN衬底。GaN功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域，随着全球碳
苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片 5 万片
集微网消息，8月10日，苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶。据悉，该项目于2021年1月27日奠基，项目占地面积超14000平方米，总建筑面积超34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单
2022-09-13 资讯 我要分享宽禁带半导体 GaN 单晶衬底等 21 个重大项目签约苏州高新区
集微网消息，5月16日，苏州高新区举行2022年苏州科技城重大项目集中云签约仪式，本次集中签约项目共21个，涵盖了软件和信息技术、高端医疗器械、高端智能装备、集成电路等高新区重点产业领域。其中，重大创
2022-12-19 资讯 我要分享
