铭镓半导体实现 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
感谢最新网友鸽以咏志的线索投递!最新12月9日消息,北京铭镓半导体有限公司近期使用导模法成功制备了高质量4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶,完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,并且进行了
2022-12-21 资讯 我要分享HTCMagic真机试用报告(上)
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