Samsung量产第二代10纳米内存性能比上一代提升10%
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间:2024-05-20
新浪手机讯 12月21日上午消息,Samsung公司宣布第二代10纳米8GB DDR4 DRAM内存正式开始量产,它将成为下一代计算系统的基础。
2016年2月,Samsung推出了首款10纳米 DRAM产品。如今,该公司正式宣布开始量产第二代10纳米8GB DDR4 DRAM产品。Samsung表示这将是目前最紧凑,最节能,最高效的8GB DDR4 DRAM芯片。
具体来说,新一代内存产品性能比上一代提升了10%,能源效率提升了16%。这一切要归功于Samsung所谓的“先进的专有电路设计”。
新产品每引脚每秒可运行3600兆比特,而上一代产品的速度为3200兆比特。这意味着Samsung有了更好的硬件基础,而新产品也将很快用于智能手机、笔记本电脑、个人电脑和智能手表等设备。
Samsung表示,目前已经完成了与CPU制造商一起进行的10纳米DDR4 DRAM验证测试,现在已经准备好与OEM合作销售该产品。毫无疑问,Samsung正在加快其进入半导体业务的步伐,甚至击败了英特尔,成为全球最大芯片制造商之一。(苏航)
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