Samsung量产第二代10纳米内存性能比上一代提升10%
报价宝综合消息Samsung量产第二代10纳米内存性能比上一代提升10%
新浪手机讯 12月21日上午消息，Samsung公司宣布第二代10纳米8GB DDR4 DRAM内存正式开始量产，它将成为下一代计算系统的基础。
2016年2月，Samsung推出了首款10纳米 DRAM产品。如今，该公司正式宣布开始量产第二代10纳米8GB DDR4 DRAM产品。Samsung表示这将是目前最紧凑，最节能，最高效的8GB DDR4 DRAM芯片。
具体来说，新一代内存产品性能比上一代提升了10%，能源效率提升了16%。这一切要归功于Samsung所谓的“先进的专有电路设计”。
新产品每引脚每秒可运行3600兆比特，而上一代产品的速度为3200兆比特。这意味着Samsung有了更好的硬件基础，而新产品也将很快用于智能手机、笔记本电脑、个人电脑和智能手表等设备。
Samsung表示，目前已经完成了与CPU制造商一起进行的10纳米DDR4 DRAM验证测试，现在已经准备好与OEM合作销售该产品。毫无疑问，Samsung正在加快其进入半导体业务的步伐，甚至击败了英特尔，成为全球最大芯片制造商之一。（苏航）
