长鑫第六代DRAM完成工程样片验证 年底送样
报价宝综合消息长鑫第六代DRAM完成工程样片验证 年底送样
国产存储龙头长鑫科技在最新披露中带来一串密集进展：基于4F²垂直沟道架构的第六代工艺技术平台已完成工程样片验证，当前主力第五代工艺技术平台实现量产，LPDDR6产品也宣布量产，公司距离下一代DRAM量产又近了一步。
公开资料显示，第五代平台是目前长鑫量产的最先进平台，已推出245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品。相比第四代平台，其每片晶圆产出的裸片数量提升至少五成，在能效和成本上优势明显。接下来公司会基于这一平台逐步升级DDR5、LPDDR6等现有产品线。
更受关注的是第六代平台背后的4F²架构。该架构采用逻辑晶圆与存储晶圆键合堆叠的方式，配合自研的VSG垂直环绕栅极晶体管，通过更紧凑的布局显著缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度，也为后续工艺节点的继续微缩打通了道路。
节奏上，长鑫预计年底送样采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品，优先落地服务器等高附加值、高密度需求场景，规模量产将视客户验证与市场情况稳步推进。第三方研究指出，该架构突破DUV光刻瓶颈，叠加混合键合技术可进一步提升存储阵列密度。
在存储芯片供不应求、AI服务器需求爆发的大背景下，长鑫的每一代平台升级都直指英伟达、OpenAI们争夺的核心资源。公司前三季度研发投入约110.71亿元，同比增长七成三，第三季度营收约1187亿元，同日还披露已与多家头部客户协商长期供货协议。
编译自 IT之家，原标题：「长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证」
