2021年140层堆叠3DNANDFlash将推出 容量也将翻倍增加

【Technews科技新报】全球半导体材料及设备大厂应用材料公司，在目前举行中的国际储存研讨会 2018（IMW 2018）上表示，2021 年 3D NAND Flash 的堆叠层数将会超过 140 层，而且每一层的厚度会不断的变薄，届时这将提供更大容量，却更小体积的储存空间。

在国际储存研讨会上，应用材料介绍了未来几年 3D NAND Flash 的发展线路图。而且，应用材料指出，自 3D NAND Flash 诞生以来，其堆叠层数就在不断的成长。由三星生产的第一代 3D V-NAND 只有 24 层堆叠，下一代就变成了 32 层，随后就到了 48 层；到现在，大多数厂商都在生产 64 层堆叠的 3D NAND Flash。而 SK 海力士则是突破瓶颈，开始生产 72 层堆叠的 3D NAND Flash。预计下一代的 3D NAND Flash 堆叠层数将超过 90 层，再下一个阶段会超过 120 层，而到 2021 年时会超过 140 层的堆叠数。

此外，NAND Flash 的 Die Size（裸晶容量）也随着堆叠层数的成长而增加。在 32 层时代的时候是 128 Gbit，48 层时来到 256 Gbit。目前的 64 或 72 层则是达到 512 Gbit 的容量，预计 2019 年推出地的 96 层堆叠 NAND Flash 应该会达到 768 Gbit。未来的 128 层将会有超过 1024Gbit 的 Die Size。而预计 2021 年推出的 144 层堆叠 NAND Flash，虽然目前不清楚 Die Size 会有多大了，但可以肯定的是绝对大于等于 1024 Gbit。

应材进一步指出，虽然 NAND Flash 随着堆叠层数的增加，储存堆叠的高度也在加大，然而每层的厚度随着科技的进步却在缩小中。过去，32 及 36 层堆叠的 3D NAND Flash 的堆叠厚度为 2.5μm，单层厚度大约 70nm。到了 48 层堆叠的 3D NAND Flash 堆叠厚度则为 3.5μm，单层厚度减少到 62nm。现在的 64 或 72 层 3D NAND Flash 堆叠厚度大约 4.5μm，单层厚度减少到 60nm。以这样的规则来计算，每升级一个世代，堆叠厚度都会变成原来的 1.8 倍，但单层厚度会变成 0.86 倍。

应材指出，目前各家厂商都在 3D NAND Flash 上加大研发水准，尽可能提升自己闪存的储存密度。其中，之前东芝与西部数据就宣布，计划在 2018 年内大规模生产 96 层堆叠的 BiCS4 3D NAND Flash，并会在年底前发货。而随着资料增加越来越快的影响下，3D NAND Flash 的发展也成为各存储器厂努力的目标。以求未来能提供更小体积，更大容量的产品来满足消费者的需求。

（首图来源：美光科技）

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