重大突破!清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管:等效 0.34nm
感谢最新网友肖战割割的线索投递!最新3月12日消息,据清华大学官方宣布,近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的
Yole:中国大陆地区是全球功率器件最大的销售市场
近日,知名半导体分析机构Yole对无源器件和栅极驱动器的全球市场做了调查,这两种类型的器件对功率转换器的性能都至关重要。Yole电力电子和电池团队高级分析师ShaluAgarwal博士称:"目前全球有
2022-12-19 资讯 我要分享超能课堂(135):纳米制程背后的真真假假
我们经常在某手机发布会现场听到,“××处理器采用了最先进的10nm工艺制造”,那么究竟这个10nm代表着什么意思呢?纳米制程对于CPU、SoC而言到底多重要?又与...
从7nm到3nmGAA 三星为何激进地采用EUV?
全文字数:1651阅读时间:5分钟先进半导体工艺的角逐,只剩下台积电和三星在领跑。根据三星最近公布的工艺演进路线来来看,为何该公司要抢先在今年的7nm上首...
抢先台积电,消息称三星电子将于 6 月 30 日开始量产 3 纳米芯片
最新6月29日消息,据BusinessKorea报道,三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极(GAA)技术的3纳米半导体。报道称,三星电子将于6月30日正式宣布大规模生产基于GAA的3纳米半
2022-12-19 资讯 我要分享站在窄边框边缘 我们来畅想下屏幕技术的未来
华为的全面屏笔记本最近可谓是掀起了一波小热潮,现如今,全面屏已然成为了笔记本屏幕的未来趋势之一,它不仅满足了人们对于视觉效果和高效生活的需求,还解...
站在窄边框边缘我们来畅想下屏幕技术的未来
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三星发表512GB的DDR5内存,宣称效能是DDR4的两倍
标榜领先其他业者,首度将HKMG制程技术导入内存产品开发的三星,强调HKMG能减少DDR5内存的漏电流,达到更高效能与较低耗电
600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品助力…
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系...
台积电3nm工艺或于2年内准备就绪 芯片性能有望…
台积电董事长刘德音(Dr. Mark Liu)证实,该公司的下一代 3nm 芯片制造节点,正在按计划推进之中。...
半导体制程发展史 一看便懂
导读:半导体制造工艺节点是如何演进的?晶体管的架构是怎样发展成如今模样的?下面告诉你...半导体制造的工艺节点,涉及到多方面的问题,如制造工艺和设备,...