QLC闪存擦写寿命只有百次？这是在贩卖焦虑

自5月份美光率先宣布量产以来，美光、三星、东芝三大闪存原厂均已宣布各自3D QLC计划，并且都与96层堆叠技术挂钩。新的闪存类型诞生了，那么不可避免的又会重现TLC问世时的恐慌情绪。关于QLC闪存，我们需要提前了解一些它的前世今生。

QLC不是新事物

很多人最近才看到QLC的字眼出现在各大媒体，其实早在2009年2月，闪迪就宣布了全球首款4位单元闪存技术（X4 Technoly），即QLC闪存。首个QLC闪存实用43nm工艺制造，单芯片容量64Gb，可结合MCP多芯片封装提升容量。

这个最古老的QLC闪存当时就已经具备了诸如All-Bite-Line(ABL)架构以及三步编程和顺序感应等先进特性。如果要问为何它没能持续走下去，除了技术上的发展难度之外，更多的原因大约还是当时尚能通过制程微缩快速有效地降低成本。

TLC->QLC不可避免

从平面到3D堆叠，闪存原厂们挽救了制程微缩撞墙的困境。但3D堆叠也不是一劳永逸的只管盖高楼就能实现容量的不断扩增。除非基础材料能取得新的突破，目前技术水平下3D堆叠发展到128层以后还会遇到新的瓶颈，所以各大原厂不约而同的在96层就开始QLC的研发。

通过TLC到QLC的演变，理论上我们可以获得33%的存储密度提升。辅以新96层堆叠技术，东芝已经宣布1.33Tb的单芯片存储密度，再加上16 die封装，单颗芯片就能够实现2.66TB存储容量。

耐久度会有多差？

降价是大家都想看到的，如果需要用擦写循环次数来交换的话，大家肯定需要知道具体的代价有多大，能否接受的了？

纠错时间到了，先看看某网站是怎么写的：可靠性很差，可擦写寿命100-150次。

这是在贩卖焦虑。闪存擦写寿命有多少，这个让闪存原厂自己来回答最有说服力。美光对于3D QLC是这样标注的：1000PE。至少是与2D TLC持平的。

有没有打脸呢？某媒体认为现在TLC还只有最高1000PE，这不知道是在翻哪年的老黄历了。早在三星840推出的时候，SMART信息中闪存磨损指标就是按照1000PE标注的。当然了，三星840后来被发现缺少应有的数据保存期应对机制，爆出了老数据掉速问题，这是后话了。

美光第一款应用3D QLC闪存的是企业级SSD，如果可靠性真的如某些媒体所说“很差”的话，应该是先用到存储卡里才对，有企业级产品做先锋，普通家庭用户还有什么担心的？而且大家不必太过揪心QLC会来的太快，首批96层3D闪存产品还会是TLC的，至少三星和东芝都是这样计划的。东芝今天已经宣布了首款应用96层3D TLC闪存的客户级NVMe固态硬盘——XG6系列。据外媒猜测，XG6有望被引入到零售产品线当中，型号有可能是RD500或RD600。

额外的纠错：

这部分也是某媒体在QLC科普文中传播的错误信息，尽管与QLC没有必然相关，不过这里有必要做出纠正：他们居然还把这段话标粗去强调了！

上面这段话中包含大量错误。

1.目前没有任何消费级SSD中“集成了SLC闪存”。SLC Cache是将TLC或MLC闪存以SLC方式操作来实现的，并没有物理SLC闪存集成在其中。8到50GB也并不能代表“一般“值，实际范围要比这大很多，小至2GB，大至数百GB，取决于固件算法。

2.“平时我们的读写操作都是在SLC缓存里面进行“，大错特错。对于具备SLC缓存的SSD来说，写入的确是进入SLC缓存的，但是读取，只有少数情况下才会出现数据从SLC缓存直接读出的情况。少数情况包括但不限于：SLC缓存延缓释放的SSD进行AS等理论跑分时，读取测试执行时缓存尚未释放，数据直接从缓存读出；部分SSD采用全盘SLC的同时又执行比较懒的GC策略，若空白块没有低于阈值，就不会主动释放SLC缓存内容，那么读取就有机会从SLC缓存读出。总的来说，正常使用中数据从SLC缓存直接读取的情况属于极小概率时间。尽管现在已经有一些先进的SLC算法开始尝试热数据持续缓存，不过从总体上看，多数SSD读取操作还是从TLC中进行的。

3.“SLC缓存写满后需要一定时间才能完全释放供下次使用“，错误。SLC缓存写满后可以边释放边写入，如果必须完全释放才能写入的话，SSD早就停止响应，系统也早就蓝屏了。

4.闪存擦除速度的确比写入更慢，但这不是SLC缓存用满后速度缓慢的直接原因。尽管闪存擦除一次需要的时间在毫秒级，但是一次擦除可以清空整个block（可包含数千个Page），相比写入速度的影响要小的多，擦除速度慢不是关键所在。原文中的因果关系不成立。