4DNAND技术 TLC512GB海力士首发
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-05-10
最近的内存行业呢，大家关注度比较高的还是三星，东芝这些大佬们最近推出的各种黑科技。而作为内存三巨头之一的SK海力士也没闲着，在美国举办的Flash Memory Summit已经拉下帷幕，而这其中最值得一提关注度最高的还是全球首发的4D NAND技术！
这次SK海力士全球首发的4D NAND，让我死不得不佩服三巨头的研发实力啊，作为能跟三星掰手腕的半导体巨头，这次4D NAND的发布让海力士真是扬眉吐气。我们大家都知道对于堆叠技术来说，QLC颗粒在堆叠空间上显然是更好的，但是QLC颗粒的致命缺点也很明显读写寿命并不可观。而SK海力士的4D NAND技术不仅仅在QLC芯片上能运用，连TLC芯片也能分一杯羹！
这次的4D NAND技术，SK海力士方面说将会在年末推出第一款4D闪存，V5 512Gb TLC颗粒的96层堆叠技术，I/O速度能到达1.2Gbps，面积为13平方毫米。4D NAND和我们的长江存储Xtacking有些相似，不过在工时时间，成本和芯片面积方面更为优秀。另外QLC的V5 4D明年下半年能出样，也是96层堆叠，单叠最小1TB。
SK海力士目前对4D NAND掌握，在堆叠技术方面已经能达到128层，能做到512GB的单颗芯片，2025年SK海力士理论上来说能做到单芯片达到8TB！看着这些巨头大佬们隔三差五秀黑科技，发新一代技术。在佩服的同时又有一点不甘心啊，希望咱们的国产内存芯片早日上市，打破这些巨头们的技术垄断！
（文中图片均来源于互联网）
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