QLC擦写耐久度可达2500次未来会有5bitMLC固态硬盘

到目前为止，还鲜有人讨论QLC（4bit per cell）之后的闪存发展。5 bit per cell闪存真的存在吗？闪存发展到最后，固态硬盘会不会都成为纸糊的一样不耐用？

最近，专注于半导体市场研究的Objective Analysis创始人Jim Handy谈论了他对5bit per cell（或者按照三星的习惯称之为5bit MLC）闪存的看法。

Jim Handy说道：“从QLC发展到5bit per cell的时间会很长很长，我甚至看不到5bit per cell投产的希望。“下图为东芝的3D QLC闪存。

QLC之后的发展速度会放缓，因为这其中存在收益递减的问题。从SLC到MLC，理论上节省了一半的成本；从MLC到TLC可以节省大约30%；从TLC到QLC则节省了大约20%成本，在此之后，每个存储单元存储更多比特所能带来的成本收益提升幅度会越来越小。下图为英特尔首款3D QLC闪存消费级固态硬盘660p系列，提供512G至2TB容量。

Jim Handy认为，在主控优化和OP预留空间的合理配置之下，QLC闪存可以达到2500个擦写周期。这给5bit per cell进一步下降的耐久度留下了空间。在上世纪90年代，曾有一家名为ISD信息存储设备的公司（后被Winbond华邦收购）制造的录音机芯片，实现了在闪存单元中精确到1%的电压存储控制，理论上能满足6bit per cell的技术要求。此外，Jim Handy透露，FMS闪存峰会的小组成员、来自IBM的Jung H Yoon也认为5bit per cell是未来闪存可选的扩展选项。下图为使用3D QLC闪存的英特尔660p NVMe固态硬盘：

当然，我们也不必担心NAND闪存寿命会一路下滑，直到变得如纸糊一般不堪用。包括Intel 3D XPoint闪存在内的半导体存储新技术能够提供更高的性能与耐久度，未来它们有可能会取代NAND闪存，用来制造需要大量写入的固态硬盘或非易失性内存条。