建兴T10Plus512G固态硬盘测评

距离去年11 月建兴和忆芯在北京联合发布忆芯star1000主控和采用该主控的固态产品—建兴T10plus已经过去很久，今天给大家带来建兴T10plus 512G版本的测评。

在开始之前，先介绍下建兴和忆芯两家公司。

首先建兴隶属于台湾光宝集团，在光储存领域有领导地位，同时在SSD的生产、电源的生产中也是十分知名的品牌，在全球固态销量上总是可以占得一席之地。

忆芯科技成立于2015年总部位于北京，在16年就基于台积电28NM工艺成功流片企业级固态硬盘的主控，17年11月基于原型MB1000主控开发出消费级固态硬盘STAR1000主控芯片，可谓进展迅速。

而两家公司的合作则在于忆芯负责开发硬件，建兴提供制造产线并着重开发产品固件。

有趣的是忆芯的标志是一只独角兽而建兴的标志是一只小狮子，两大神兽之间的合作。

一．外观及包装

建兴T10plus是以国产主控为核心进行设计的固态硬盘产品，采用了忆芯STAR1000的国产主控，外包装的设计也结合了很多中国特色，标注了产品信息和一些产品认证。在中下方祥云之上，也突出了本产品是针对国产主控进行开发的产品。

外包装背面则标注了产品的产地代理等信息，左下方表明建兴T10plus提供3年有效质保。产品上下均使用贴纸进行封口。

建兴T10plus包装内所含物品，建兴提供了一颗固定螺丝，一个小型螺丝刀，建兴T10plus的散热片于固态是分开的，用户可自行选择是否安装散热片，便于笔记本用户使用。

相变硅脂也已经贴在主控上方，撕下蓝色贴纸再安装散热片就完成了。

建兴T10plus除了外包装之外，在固态散热上也有一番文章，散热片通体采用红色，靠近金手指一侧为建兴的品牌LOGO另一侧则为类似苏州园林中漏窗，也像极了传统的中国结。这些中国元素都于它的一颗中国芯相呼应。

在尾部还有两颗红色的LED，会根据固态的使用情况闪烁。灯大 灯亮 灯会闪！

产品背面铭牌标注了型号、电压、SN码等信息，还有一些产品认证的信息和两个二维码，另外贴纸底下还有两颗闪存颗粒和一颗内存颗粒。

二．硬件及IC分析

建兴T10plus 512G容量和1T容量采用双面颗粒设计，正面包括一颗忆芯STAR1000主控，一颗内存颗粒，两颗闪存颗粒，背面则有一颗内存颗粒，两颗闪存颗粒，两面共计七颗主要的颗粒。

建兴T10plus 512G容量采用了4颗编号为TH587FTOT23BADE的东芝原厂的64层堆栈3D-NAND TLC颗粒，单颗容量128G。

另外T10plus的256G版本为单面颗粒设计，背面没有任何电子原件。

缓存采用两颗编号为H5AN4G6NBJR的海力士DDR4内存颗粒，电压1.2V，单颗容量512M两颗容量共计1G。

作为建兴T10plus固态硬盘的核心，忆芯STAR1000主控自然需要单独拿出来说一说。

忆芯STAR1000主控支持PCI-E3.0 X4通道和NVME 1.2协议，支持StarLDPC ECC引擎、支持ASE256和TCG OPAL加密，能够支持目前MLC/TLC/3D MLC/3D TLC多种闪存，未来可以通过微码更新支持新的颗粒类型。

STAR1000采用性能强大的双核ARC构架，提供8条闪存通道，支持ONFI 4.0和Toggle DDR 3.0，闪存界面速度800MT/S，可支持最大2400MT/S的DDR4 / DDR3L外置缓存。主控最大连续读写分别为3GB/S和2GB/S，最大随机读写IOPS分别为350K和300K，读写延时分别为90us和20us，最大功耗小于2.5W，主控性能达到甚至超越台系厂商主控。

最后，记住这个独角兽，期待以后会有更多的国产神兽出现在相关领域。

制造工艺方面STAR1000采用台积电28NM HPC工艺制造，与世界一线产品处于同样的水平。

这里可能很多人会有疑问现在的最新工艺不是12NM吗？为什么这里28NM会成为一线？

其实很简单，目前只有手机CPU、PC CPU、GPU等对于性能和功耗控制要求极高的芯片采用了最新的制造技术，其他一些对于性能要求不高但求稳定的芯片使用的制程都还是比较老的制程，具体原因可以涉及到14NM产能和制造成本上。

三．常规测试

本次测评将建兴T10plus固件升级为1.2，采用配置为上图的台式机进行测试，环境温度在28度左右，使用系统为WIN10专业版64位操作系统，主硬盘为海康威视 V100 固态硬盘，不存在性能瓶颈影响测评。

常规测试中使用的都是AS SSD、CrystalDiskMark、TxBENCH等常见的用于测试硬盘软件，在空盘情况下进行数据跑分。

实测上机图，尾部LED通电后会闪烁。

首先看一下CDI的截图信息，1.2固件的T10plus待机温度在45度左右，这一代T10PLUS相对于上一代的T10温度控制的更加出色，从侧面也体现出了主控的低功耗高性能，对于主控的调教也更加出色。

CDI可以检测到通电时间、通电次数还有主机的读写量。另外用户可以通过传输模式这里判断硬盘是否在X4速率上工作。

在CDM跑分中，各项成绩相较于1.1固件均有所提升，1GiB数据量测试中顺序读写均接近忆芯SRAR1000主控的极限，产品的4K读写性能在NVME硬盘中属于中上水平，不过这一项成绩深受CPU的影响，因此不同平台跑出的测评数据都不一致，另外4K性能只要达到一定水平过后对于日常使用就不会有多大的影响了。

在32GiB数据量的测试中，数据出现小幅下滑，属于正常现象，另外需要介绍一下，CDM的跑分原理是默认每项跑5次，然后选择最佳数据作为最终成绩，而非像AS SSD计算平均值。

TxBENCH跑分测试中，建兴T10plus各项参数都还不错，顺序读取达到2624M/S顺序写入也达到1891M/S，4K读取达到40.723M/S、4K写入相较于AS SSD持平达到113.946M/S，表现不错。

四．阶测试

在进阶测试中会有三部分，首先是填盘测试，将建兴T10 plus进行填盘至总容量的50%和80%进行测试（实际填盘49%和81%），以模拟在用户使用中不同占用率的情况下性能的表现，第二部分为PCMARK 8储存测试，模拟用户日常使用环境，第三部分将使用HD Tune Pro进行文件基准测试，以测试得出产品的SLC cache容量。

四．1填盘测试

在填盘测试中使用滨崎步15周年小巨蛋演唱会蓝光无损视频进行填充，单个文件大小38.8G，经过多次复制最终填充至总容量的49%和81%。

在50%和80%填盘后进行的AS SSD跑分，成绩均有小幅下降，下降幅度很小，可以看到即便只剩下20%的空间，建兴T10 PLUS还是能发挥较好的性能，不过高写入延迟的问题依旧存在。

介于CDM软件跑分的原理，在空盘、50%填盘和80%填盘的情况下，跑分数据相差不大，较小的差距可以理解为误差。

和CDM情况相似，空盘、50%填盘和80%填盘情况下，建兴T10 PLUS在TxBENCH数据跑分成绩相似，三种情况下差异较小，存在的误差可以无视。

四．2 PCMARK8 存储测试

PCMARK8存储测试是通过软件模拟用户日常的操作来进行分析，一次测试需要1~3小时，测试项目包括游戏村粗、Adobe图像/视频存储、office文档存储，测试结果比较贴近用户的日常工作、游戏，有比较高的参考价值。

其中游戏测试包括《魔兽世界》和《战地三》，两项存储时间分别是58.6秒和133.5秒，简单的可以理解为读条时间。

Adobe和office存储时间如上图，最后一项为测试所花时间，T10 PLUS测试所花时间为1小时15分钟。

另外PCMARK8给出的得分为4917分，成绩还不错。

四.3 SLC cache容量

通过HD TUNE Pro中文件基准测试可以得知产品的SLC cache容量为多少，与之前1.1固件相同，SLC cache容量均在6.5G，在SLC cache用完后实际写入维持在500M/S左右。

6.5G的SLC cache容量在同类产品中属于中等水平，并不算高，但是SLC cache容量需要通过牺牲闪存寿命来增加。

是牺牲寿命还是牺牲短期的写入速度这个就需要厂商来权衡了。

就6.5G的容量来说，基本上也能满足日常的使用。

在测试完SLC cache容量后，进行了120G数据量的长时间文件基准测试，最终测得固态运行最高温为52°，相较于之前一代的NVME产品动辄百度的情况已经要好很多，与现在的产品相比温度控制也很出色，要知道三星970EVO现在温度还是可以达到90以上，与之相比52°都不算什么。

当然最高温52°离不开低功耗的主控、优质的固件还有红色的散热马甲。

温度测试环境如图，并没有任何风扇辅助散热，纯依赖固态自身和其原装散热马甲，纯被动散热。

五、总结

建兴T10plus作为采用了国产主控的固态，开启了固态硬盘国产化的里程，具有里程碑式的意义，期待以后会有更多更强，完全国产的固态硬盘诞生，如同上图的狮子一起翘首以盼。

抛开其对于国产固态硬盘的特殊意义，其本身性能也处于主流偏上的水准，产品本身也具有实力，三年顺丰上门质保、持续的固件支持、较为出色的温度控制、无一不为产品加分。

其实用两句话来概括很符合建兴T10 PLUS的定位，比我强的产品比我贵很多，比我便宜的比我弱很多；比我强的比我热很多，比我凉快的比我弱很多。

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