NAND产业投入大 美光专注于第四代3DNAND和QLCSSD发展

2018年9月19日，中国闪存市场峰会（CFMS2018）在深圳华侨城洲际酒店隆重举行，本次峰会是由深圳市闪存市场资讯有限公司主办，汇集了国内外存储届重量级企业，诸如三星、英特尔、美光、西部数据、江波龙、英伟达等, 各行业的领头者汇聚一堂进行了存储技术最前沿的报告和交流。

美光集团作为NAND Flash芯片最重要的供应商之一，通过不断的研发投入和技术积累，始终为客户提供优秀的存储方案。此次中国闪存市场峰会上，美光集团副总裁, Dinesh Bahal先生也应邀出席,并在会上作了以《美光3D先进技术与市场应用》为主题的演讲。

Dinesh Bahal先生的演讲首先回顾了美光集团成立之初的愿景, 那就是在数据和信息爆炸的时代, 用更好的存储的解决方案提高生活和工作效率。美光作为一家存储公司, 已经历了40年的发展历史, 从1978年建立，到1979年推出了世界上最小的一款64K的DRAM，再到2018年推出业界第一款1Tb Die堆叠的QLC SSD, 美光已经具备了全面的存储产品序列, 并能够将最完美的解决方案交给客户。

Dinesh Bahal先生还提到了在NAND发展过程中遇到的技术挑战, 早期bit数增长率可以达到130%~140%, 近些年的bit增长率基本平稳的维持在40%的水平。如果从历史沿革的角度来说，早期要达到80%的bit的增速，需要80亿人民币。但是今后如果要达到40%—45%bit增长值，整个行业的投资基本要达到250亿美元才能够做到，所以我们可以看到，随着技术的革新和发展，bit的增速会保持，但是整体的投资量也会越来越大，这对整个存储行业都会是一个强大的挑战。

Dinesh Bahal先生还介绍了美光如何在竞争激烈的存储行业保持竞争力. 美光的技术可以让NAND制程工艺从40纳米降到30纳米, 再到16纳米，同时美光独创的CUA(CMOS Under Array)技术将3D技术带到了新的高度, 同时正是有了CUA技术以后美光有了世界上最小体积的裸片， 阵列堆叠技术使美光可以采用32层+32层的方式, 堆叠出64层的3D NAND, 以更好的满足市场需求, 同时进一步推进技术路线图的演进。

在QLC方面, 美光推出了第一个64层QLC SSD解决方案, 业界第一款1Tb Die, 相对TLC的存储密度提升了33%。目前美光专注于第四代的3D NAND技术, 在Die尺寸及性能上都将领先于业界, 同时得到更高的数据带宽以及更低的能耗。

目前美光的业务已经覆盖了13个国家, 拥有超过4万个专利, 在中国有超过3000名员工, 在西安设立的专门的生产中心和技术中心, 有专业的工程师团队和客户进行日常沟通, 特别关注NAND/DRAM的行业需求, 聆听来自客户的声音, 最终将这些声音转换为未来最具性价比, 最高效的产品和技术, 与中国客户共同发展和成长。

CFMS将“最佳供应服务奖” 授予美光，作为重要的存储芯片供应商，美光兼具NAND Flash和DRAM完整产品线，为全球客户提供符合不同领域市场需求的存储解决方案。在NAND Flash从2D向3D切换的关键时期，即使全球存储市场供货紧张，美光依然为国内众多厂商提供较为稳定的存储芯片供货和客户支持，在新一代先进技术上，助力客户快速过渡，加快存储产品上市和应用创新，也实现企业营收和利润的快速增长。