联芯取得重大突破 28纳米HKMG试产良率达98％
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-02-07
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2018 03 27
星期二
来源：pixabay
原题目：联芯工艺又取得重大突破28纳米HKMG试产良率达98%
日前，联芯集成电路制造（厦门）有限公司已成功试产采用28纳米High-K/Metal Gate 工艺制程的客户产品，试产良率高达 98%。这是该公司28纳米Poly/SiON制程技术成功量产以来，再次取得了技术发展上的新里程碑。
联芯28纳米High-K/Metal Gate工艺制程采用了目前全球最先进的Gate Last制程技术，能大幅减少栅极的漏电量，提升晶体管的性能，可以应用于更多样化的各类电子产品。
联芯集成电路制造项目总投资62亿美元，是海峡两岸合资建设的第一座12英寸晶圆厂，也是福建省目前投资金额最大的单体项目。联芯于2016年11月正式营运投产，目前该公司正全力提速至满载产能。
联芯能同时提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工艺技术，成为国内最先进的28纳米晶圆专工企业，标志着厦门集成电路制造水平又迈上了一个新台阶，对奠定厦门集成电路产业在全国的战略地位具有重要意义。
来源：厦门火炬高新区
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