中国首批32层3DNAND闪存芯片料今年内量产
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-02-19
新华社报导，中国位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台 11 日正式进场安装，这表示国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的 32 层 3D NAND 闪存芯片将于年内量产，填补中国在主流存储器领域的空白。
目前，中国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于 2017 年成功研发中国首颗 32 层 3D NAND 闪存芯片；这颗耗资 10 亿美元、由 1 千人团队历时 2 年自主研发的芯片，是中国在制程上最接近国际高端水准的主流芯片，可望使中国进入全球储存芯片第一梯队，有力提升“中国芯片”在国际市场的地位。
据了解，中国国家存储器基地项目 2016 年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设，总投资 240 亿美元，项目一期总产能将达到 30 万片 / 月，年产值将超过 100 亿美元。
紫光集团表示，今年 10 月设备将点亮投产，预计 2019 年底 64 层闪存产品将实现加速量产。未来十年，紫光集团计划至少还将投资 1,000 亿美元，相当于平均每年投入 100 亿美元，进一步拉近在高端芯片领域与发达国家的距离。
（本文由 MoneyDJ新闻授权转载；首图来源：DeepTech深科技）
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