3D闪存路线图曝光：2021年可望用上140层产品
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-07-16
固态硬盘的价格在2018年终于开始松动，部分产品的价格已经回落到2016年年中水平。除了产能惠生和市场需求放缓之外，3D NAND颗粒的大批量产也是价格回落的重要原因。
自从3D-NAND诞生以来，它的堆叠层数就在不断的增加，三星第一代3D V-NAND只有24层，第二代就变成了32层，随后48层，到现在大批量生产的64层，而SK海力士则是72层，可以看到升级和变化相当之快。今年3D-NAND堆叠层数有望超过90层，然后是120层，2021年更是有140层的产品。
国际存储研讨会2018(IMW 2018)中，应用材料公司Sean Kang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图，到了2021年，3D-NAND的堆叠层数会超过140层，而且每层的厚度也会不断变薄。
在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度缺在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到62nm，现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm，每层厚度减少到60nm，没升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍，而层厚度会变成0.86倍。
而闪存的Die Size也随着堆叠层数的增长而增长，在32层时代的时候是128Gbit，48层时256Gbit，64/72层是512Gbit，2019年的96层闪存应该会达到768Gbit，128层应该会有1024Gbit的Die Size，达到144层时就不清楚会有多大了，肯定会大于等于1024Gbit。
现在各家厂商都在3D NAND上加大力度研发，尽可能提升自己闪存的存储密度，此前东芝与西数就宣布计划在今年内大规模生产96层堆叠的BiCS4芯片，并会在年底前发货。
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