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硬件资讯:DRAM内存的对手来了 NVDIMM内存能成为我们的答案嘛?

消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间:2026-07-20

报价宝综合消息硬件资讯:DRAM内存的对手来了 NVDIMM内存能成为我们的答案嘛?

新闻1:留给内存的时间不多了,英特尔今年推不丢数据的NVDIMM内存

三年前英特尔、美光宣布了3D XPoint闪存,号称性能、耐用性是闪存的1000倍,容量密度是内存的10倍,是首个量产的能够兼具内存闪存、DRAM内存优势的革命性存储芯片。目前3D XPoint闪存已经在SSD领域逐步开花结果,下一步就要进军内存市场了,英特尔将在今年内推出NVDIMM标准的3D XPoint内存,容量更大,而且断电也不会丢失数据。

有必要先了解下DRAM内存、NAND闪存的区别,简单说就是DRAM内存速度极快,延迟是纳秒级的,但内存容量小(相对来说),断电就损失数据,而NAND闪存容量大、价格低,不过延迟是微秒级的,性能远不如内存。JEDEC标准化组织之前推出了NVDIMM内存标准,也就是一种断电不损失数据、使用内存封装格式的产品,介于DRAM与NAND之间。

英特尔至强处理器/数据中心市场部经理Lisa Spellman日前在日本出席了一场公开活动,介绍了英特尔在服务器、数据中心市场上的新进展,PC Watach网站做了详细报道,除了新一代Xeon处理器之外,英特尔还透露了基于3D XPoint闪存的NVDIMM内存进展。

根据英特尔所说,基于3D XPoint闪存的NVDIMM内存预计今年中开始发货,将用于下一代代号Cascade Lake的Xeon Scale处理器平台上。

不过原文并没有提及英特尔的NVDIMM内存的具体规格,首图是NVDIMM实物的样子,容量、性能依然未知。

我们来梳理一下啊。之前牙膏厂就说,要做Optane三大家,分别是加速盘(Cache),存储盘(SSD),以及内存档(Memory)。结果没做出来,只好把加速盘叫成内存档。过了那么久了,看来技术成熟了。但现在不叫内存档了,叫NVDIMM,猜测应该是NVMe+DIMM组合吧。也就是之前用极高速的固态硬盘充当内存的理念了。而NVMe这个协议正好就满足这个需求。但固态硬盘终究只是固态硬盘,NAND终究是NAND,就算速度有了,响应时间也不能达到内存水平,所以NVDIMM性能在DRAM和普通NAND之间。我猜测初期可能和NAND差不多。突然明白,为什么镁光不用心做DRAM,和牙膏厂做3DXpoint了,看来是兵分两路了。不过这是好事,因为由此一来,DRAM终于有对手了,这也就意味着……其实就是AMD的故事(如果顺利的话),你们都懂的。

新闻2:全面采用7nm AMD公布CPU、GPU路线图

相比较英特尔还在14nm挣扎,AMD则把步子迈的很大。AMD公布了全新的产品路线图,其中包括Ryzen处理器和Vega显卡,除了目前的二代Ryzen(包括线程撕裂者)仍然采用12nm工艺外,下一代产品将全面采用7nm工艺。

Ryzen方面,目前Zen 2架构已经设计完成,其基于7nm工艺。Zen 2相比Zen有着全面提升,不过官方PPT并没有披露太多细节。Zen 2依旧由GF代工,对外宣称制造层面比14nm FinFET提升40%以上,面积缩小2倍;Zen 3则基于7nm+工艺,有望在2020年之前到来。

Vega方面,基于7nm工艺的Vega显卡已经完成设计,首款产品将会是针对专业领域的加速卡,型号为MI 25加速卡,由台积电代工。同时AMD也骄傲的宣布,目前AMD实验室用的机器中,显卡采用的就是7nm Vega,这说明Vega显卡已经流片并正常使用了,看来距离上市应该不会太长时间。

核心的面积很大成分能够帮助降低功耗,制程的提升也能降低电压。但是,频率的提升,一方面是构架的原因,制程工艺质量也有关系。你说未来AMD同样规格的核心,能耗大幅下降,我信。但你说未来AMD的CPU,频率能上5G,我就……我觉得AMD以后出个12核R7也许可能,但5.1G……最多是单核,全核估计4.6,4.7罢了。但够了吧!12核你还不够用?现在唯一烦的就是AMD什么时候能把相关的优化做好,就好了。

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新闻3:内存将产能大幅提高,重庆工厂将成海力士全球最大封装基地

根据界面的消息,SK海力士重庆工厂将开启二期项目,投资为10亿美元,预计将于2019年投产,届时内存产能将大幅提高,重庆工厂也将成为海力士全球最大的封装基地。

据悉,Hynix 海力士为芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士,2012年更名SK hynix。

海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。2012年2月,韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

SK海力士在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位。

所以说,只是准备要建,降价还是在未来咯?

新闻4:……

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2018-05-19 00:32:00

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