将3DNAND技术带到行动装置市场，SanDisk发表USF与eMMC双界面iNAND嵌入式闪存

3D NAND 闪存技术已经逐渐在许多台式电脑的 SSD 中被采用，而 WD 集团旗下的知名闪存品牌 SanDisk 也宣布将 3D NAND 技术带到行动装置领域，推出基于 3D NAND 技术的 iNAND 嵌入式闪存产品线，包括 UFS 界面的 iNAND 8521 和 e.MMC 界面的 iNAND 7550 ，两款产品线最大容量提供 256GB 。

iNAND 8521 为新一代旗舰型嵌入式内存产品，采用 UFS 2.1界面以及 Western Digital 第五代 SmartSLC 技术，相较前一代旗舰级产品 iNAND7232 在连续写入性能提升 2 倍，达到 500MBps ，随机写入提升 10 倍，达到 45K IOPS ；至于 iNAND 7550 则锁定主流手机市场，采用 e.MMC 5.1 界面，并提供连续写入效能最高 260 MBps 、 随机读／写达 20K IOPS / 15K IOPS 的性能。