在ISSCC 2021国际固态电路会议上，台积电联席CEO刘德音公布了该公司的最新工艺进展情况，指出3nm工艺超过预期，进度将会提前。
不过刘德音没有公布3nm工艺到底如何超前的，按照他们公布的信息，3nm工艺是今年下半年试产，2022年正式量产。
与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同，台积电的第一代3nm工艺比较保守，依然使用FinFET晶体管。
与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不论是5nm还是3nm工艺，甚至未来的2nm工艺，台积电表示EUV光刻机的重要性越来越高，但是产能依然是EUV光刻的难题，而且能耗也很高。
刘德音提到，台积电已经EUV光源技术获得突破，功率可达350W，不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺。
按照台积电提出的路线图，他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律，2年升级一代新工艺，而10年则会有一次大的技术升级。
特别提醒：本网内容转载自其他媒体，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。
