美国控告中国商人串通GE内贼窃取半导体机密

美国-上周控告中国商人串通工业大厂GE内部员工，密谋窃取GE价值数百万美元的碳化硅金属氧化半导体场效晶体管（SiC MOSFET）技术机密。

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor）具有高速、高效能、低损耗、低导通电阻、小封装等特点，大量用于消费电子装置做为电压转换之用。

美国司法部文件指出，64岁的中国商人Chi Lung Ng（吴志龙，译音）被控，曾和一名GE工程师合作7年以上，从GE内部窃取SiC MOSFET等其他技术，并在2017年3月到2018年1月间与另一人（同伙1或1人以上）合作，利用这些窃来的GE机密制造并销售SiC MOSFET。

吴志龙与同伙成立新创公司后，向有意愿的投资人进行募资。根据检方取得的募资简报，他们声称预计3年内可以获利，并指他们持有的技术资产价值估计1亿美元，借此吸引近3000万美元的投资。2017年8月两人曾经对一家有兴趣的中国投资公司做了简报。

美国司法部检察官指出，吴志龙窃取美国智慧财产图利外国公司，剥夺美国人才创意以及美国工作者辛勤工作的成果。但检方指出，目前没有证据两人已经将GE的MOSFET技术转给了任何中国公司，包括两人企图成立的新创公司。

不过吴志龙仍尚在逃。若经逮捕并经定罪，他最高可能面临10年刑期及25万美元的罚金。

这是最新一起中国人士被控窃取研究商业机密的事件。去年1月二名中国人包括Yanqing Ye（叶燕青，译音）与Zaosong Zheng（郑朝松，译音），也被控联合哈佛大学化学及生化教授Charles Lieber收受中国-的酬劳，利用美国学术资源协助中国进行研究。