应用材料增持Besi至两成 深化先进封装合作

应用材料宣布将把荷兰芯片封装设备商Besi的持股比例从约百分之九提高至约百分之二十，双方将围绕混合键合等先进封装技术扩大联合创新，服务下一代AI芯片。交易需通过美国反垄断审查，应用材料表示无意继续加码

2026-10-27 科技 我要分享

全球首款，阿里达摩院成功研发基于 DRAM 的 3D 键合堆叠存算一体芯片

最新12月3日消息，据阿里云官方发布，阿里达摩院成功研发存算一体芯片。这是全球首款基于DRAM的3D键合堆叠存算一体芯片。它可突破冯・诺依曼架构的性能瓶颈，满足人工智能等场景对高带宽、高容量内存和极致

2022-05-08 资讯 我要分享

3nm 良率不足，消息称台积电将为苹果提供 3nm\5nm 异构封装产品

3月2日消息，据韩媒infostockdaily援引消息人士爆料，由于3nm制程难以完全符合要求，正苦于良率不足问题。台积电将为苹果公司代工的产品中，采用了将5nm与3nm两种不同制程小芯片"混合键合

2022-07-13 资讯 我要分享

3nm 良率不足，消息称台积电将为苹果提供 3nm\5nm 异构封装产品

最新3月2日消息，据韩媒infostockdaily援引消息人士爆料，由于3nm制程难以完全符合要求，正苦于良率不足问题。台积电将为苹果公司代工的产品中，采用了将5nm与3nm两种不同制程小芯片"混合

2022-05-08 资讯 我要分享

美光G11闪存破400层 密度翻倍

美光在2026年度技术研讨会上预告G11NAND：堆叠超400层、密度约为现有G9的两倍，2027年下半年产能爬坡；2028年还将推出vHBM与端侧推理vEIM，并确认4F²DRAM无规模化路径，未来

2026-10-22 科技 我要分享

达摩院突破冯・诺依曼架构性能瓶颈，新型 AI 芯片性能提升 10 倍

12月3日，记者获悉，达摩院成功研发新型架构芯片。该芯片是全球首款基于DRAM的3D键合堆叠存算一体AI芯片，可突破冯・诺依曼架构的性能瓶颈，满足人工智能等场景对高带宽、高容量内存和极致算力的需求。在

2022-05-08 资讯 我要分享

英特尔 3D 封装技术密度再提升 10 倍，目标 2030 年打造出万亿晶体管芯片

感谢最新网友OC_Formula、华南吴彦祖的线索投递！最新12月5日消息，在近日的IEDM2022（2022IEEE国际电子器件会议）上，英特尔发布了多项突破性研究成果，以在未来十年内持续推进摩尔定

2022-12-21 资讯 我要分享

英特尔着眼系统工艺协同优化理念，推进摩尔定律新浪潮

AnnKelleher介绍了晶体管诞生75年之后的新进展在IEDM2022（2022IEEE国际电子器件会议）全体会议上发表演讲之前，英特尔副总裁兼技术开发总经理AnnKelleher接受了《IEEE

2022-12-21 资讯 我要分享

Yole：中国大陆存储芯片厂商极大地推动了本土封测厂的繁荣

Yole最近的研究报告指出，中国大陆市场存储芯片的崛起、倒装芯片DRAM和3D堆叠技术的发展，将会给本土封装厂商带来重大利好。数据显示，从市场份额来看，2020年到2026年，整体存储封装市场将以7%

2022-05-08 资讯 我要分享

康佳：公司研发的 Micro LED 芯片已完成小批量和中批量试产

集微网报道4月15日，深康佳在接受机构调研时表示，公司正在积极推进半导体业务产业化。目前，公司已建成MicroLED全制程研发生产线，自主开发的混合式巨量转移技术已在转移效率和良率方面获得大幅提升，并

2022-05-08 资讯 我要分享

收藏 半导体一些术语的中英文对照

半导体产业作为一个起源于国外的技术，很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历，或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点，...

2018-06-25 科技 我要分享

英特尔官方揭秘：为什么 7nm 被命名为 Intel 4

今年 7 月，英特尔公布了最新的半导体制程和先进封装路线图：预计四年内完成 5 个工艺节点的推进，在高 NA EUV、3D-IC、小芯片、混合键合方面都提出新的战略目标 —— 再一次向世界展示了英特尔的创新力。

2021-09-01 综合 我要分享

3D封装市场 台积电和英特尔各领风骚

自2018年4月始，台积电已在众多技术论坛或研讨会中揭露创新的SoIC技术，这个被誉为再度狠甩三星在后的秘密武器，究竟是如何厉害？台积电首度对外界公布创新的系统整合单芯片（SoIC）多芯片3D堆叠技术，是在2018年4月的美国加州圣塔克拉拉（Santa Cla…

2019-07-19 科技 我要分享

3D封装火热 台积电和英特尔各领风骚

来源：内容来自“ctimes”，谢谢。自2018年4月始，台积电已在众多技术论坛或研讨会中揭露创新的SoIC技术，这个被誉为再度狠甩三星在后的秘密武器，究竟是如何厉害？台积电首度对外界公布创新的系统整合单芯片（SoIC）多芯片3D堆叠技术，是在2018年4月的…

2019-07-17 科技 我要分享

英特尔 Ann Kelleher：摩尔定律本质是创新，创新将永不止步

1965年，英特尔的联合创始人戈登・摩尔预测，单个芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番，而成本只会有极小的增加。该预测被称为摩尔定律，如图1所示。单个设备上的晶体管或组件越多，在单个设备性能提升的同时，

2022-05-08 资讯 我要分享

应用材料启用50亿美元芯片研发中心

应用材料10月12日在加州桑尼维尔启用投资50亿美元的EPIC中心，号称全球最大同类协作研发设施。台积电、英特尔、三星、美光、SK海力士任创始伙伴，目标把新一代芯片技术的研发周期至少缩短30%，为AI

2026-10-13 科技 我要分享

长江存储推出第四代 3D TLC 闪存，供应链称其堆叠层数达 232 层

感谢网友杀猪剑豪、碎钞机抚育者、OC_Formula的线索投递！8月3日消息，长江存储科技有限责任公司于今日在2022年闪存峰会（FMS）上正式发布了基于晶栈（Xtacking）3.0技术的第四代TL

2022-08-03 资讯 我要分享

首届中国计算机学会芯片大会召开，宋继强分享英特尔最新底层技术创新进展

2022年7月30日，英特尔研究院副总裁、英特尔中国研究院院长宋继强博士出席了由中国计算机学会主办的第一届"中国计算机学会芯片大会"，并发表了题为"坚持半导体底层技术创新，激发算力千倍级提升"的主题演

2022-08-03 资讯 我要分享

持续创新・驱动计算：英特尔 2021 年技术发展大盘点

2021年，英特尔凭借在软件、芯片和平台、制程和封装以及大规模全球制造商的独特优势，推动异构计算，并通过四大超级技术力量--无所不在的计算、从云到边缘的基础设施、无处不在的连接、人工智能，驱动数字化未

2022-05-08 资讯 我要分享

2nm的晶体管的另一个选择：hCFET？

2020年12月，由日本工业技术研究院（AIST）和中国台湾半导体研究中心（TSRI）代表的联合研究小组宣...

2020-12-21 综合 我要分享